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数量:18261 |
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| 类别 | Power MOSFET |
| 通道模式 | Enhancement |
| 渠道类型 | P |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 2.92 x 1.4 x 0.94mm |
| 身高 | 0.94mm |
| 长度 | 2.92mm |
| 最大连续漏极电流 | 0.9 A |
| 最大漏源电阻 | 0.3 Ω |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 0.5 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | SuperSOT |
| 引脚数 | 3 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 2 nC V @ 4.5 |
| 典型输入电容@ VDS | 135 pF V @ 15 |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 典型导通延迟时间 | 5 ns, 8 ns |
| 宽度 | 1.4mm |
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